存档四月 2019

NAND FLASH/SPI NOR FLASH

  • 东芝SLC NAND
类别容量
Raw SLC NAND 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb16Gb32Gb*

*请点击任何一项以显示详细的产品信息并下载规格书。
*关于32Gb的信息,请联系销售代表。

  • 东芝SPI NAND

Serial Interface NAND

Features of Serial Interface NAND

Host can control the device by a low pin count

Supports Mode 0 and Mode 3 of Serial Peripheral Interface (SPI)Embedded ECC engine

Provides information of  ECC correction, ECC on Host controller is not required.The latest 24nm SLC NAND process technologyOffers wide line-up of capacity

For Serial Interface NAND, 1Gbit, 2Gbit and 4Gbit are available in a lineup.Available in small packages

6 x 8mm WSON, 10.3 x 7.5 SOP(*), 6 x 8 BGA(**)

* Please check the latest MP status with TMC sales representative regarding SOP package
** BGA package is under planning

Serial Interface NAND Block Diagram

 
* The ECC logic in Serial Interface NAND can be enabled and disabled by the customers.

Product Lineup

CategoryDensity
Serial Interface NAND1 Gb2 Gb4 Gb

*Please click on any item to show detailed product line up and to download datasheet


TONGCHIP 高性能工业级SPI NOR FLASH

  • 特性介绍:
  • TC25W**系列串口NOR FLASH为工业级产品
  • 高读写速度
  • 超宽工作电压:1.65V-3.7V
  • 页读取速度小于0.5ms
  • 读写次数10万次
  • 有限使用寿命达20年
  • 包装规范符合MSL3-MSL6
  • 封装材料复合GREEN标准

*目前量产产品为16Mbit,19年6月底推出8Mbit产品敬请期待


TONGCHIP 消费类SPI NOR TFLASH

  • 特性介绍:
  • TC25Q**系列串口NOR FLASH为消费级产品
  • 2 Line/4 Line两种规格
  • 标准工作电压:3.3V
  • 读写次数小于10万次
  • 有限使用寿命大于3年
  • 包装规范符合MSL1-3
  • 封装材料复合环保标准

*目前量产产品为2Mbit-128Mbit


*规格书请电邮索取:markte@tongchip.com

东芝存储器或将更名成KIOXIA,并筹1.3兆日元,加快上市进度

据日媒4月3日报道,东芝存储器公司(TMC)从三菱UFJ银行、日本三井住友银行和日本瑞穗银行等主要银行获得1兆日元的借款,日本政策投资银行(DBJ)还将投资3000亿日元,共筹集1.3兆日元(约117亿美元)。

三家主要银行是在总计6000亿日元贷款的基础上再融资,同时回购美国苹果等商业伙伴持有的优先股,减少财务不稳定,并以有利的方式促进东京证券交易所的上市审查。

东芝存储器是在2018年6月出售给以贝恩资本主导的日美韩联盟。贝恩资本希望东芝存储器尽早上市,如果上市的话,预计市值将超过2兆日元,回收一部分投资资金的同时,也好筹措东芝存储器的投资资金。

2月份,东芝公布2018财年前三季度(4-12月)财务业绩:营收2.65兆日元(约239亿美元),同比下滑5.5%;营业利润82亿日元(约7409万美元),同比下滑85.3%;净利润1.02兆日元(约92亿美元),同比增长37倍。

另据4月1日消息,根据股份购买协议的赔偿条款,东芝将向东芝存储公司支付4500万美元(约50亿日元)赔偿,这一损失将计入东芝2018财报。东芝在2018财年Q3财报中预估2018财年(2018年4月1日至2019年3月31日)营收从3.6兆日元上调至3.62兆日元,营业利润从600亿日元下调至200亿日元。

业内人士预计,东芝存储器IPO时间计划在9月,但预计会推迟到11月以后。若交易户持有股份恐在上市审查中处于不利地位,需要回购股份来调整稳定的经营环境。公私合营基金INCJ(原产业创新机构)将暂缓出资。

此外,市场传言东芝存储器正在讨论将公司改名,考虑不再使用东芝这个品牌。

据登记信息显示,东芝存储所有的名称可能改为KIOXIA。之前,东芝存储公司为了更好的经营在岩手县新建的Fab 7工厂,曾成立了一家新公司(东芝存储岩手公司),由TMC100%控股,预计该新公司也将可能更名为KIOXIA岩手公司。

Kioxia(キオクシア)是东芝存储器公司于2018年12月10日提交的商标注册。注册信息显示,Kioxia将成为半导体芯片产品相关的品牌。

美光:下半年市场供需将好转,未来10-20年仍是存储产业好光景

2019年首季虽然DRAM与NAND Flash价格双双走跌,但相较于2018年大跌的行情已明显收敛,为了进一步改变市场供过于求的市况,美光下修资本支出以及减少Wafer晶圆产量,并预估2019下半年产业供需将好转,同时看好人工智能、机器学习、5G以及自驾车等新契机,推动未来10-20年存储产业的持续成长。

美光执行副总裁Sumit Sadana在接受DIGITIMES采访时表示,2019年首季DRAM和NAND Flash市场需求都十分疲软,一方面受中国大陆与欧洲的经济成长趋缓的影响,另一方面受存储价格跌价、PC供应短缺等影响也较大。

不过,Sumit Sadana认为2019年产业资本支出的力道缩减,投资额较2018年要低,而需求端只是短期影响因素,预计在2019年中市场需求可望好转,现在已看到部分客户的库存正在逐渐改善,尤其是云端客户,预计库存正常化将会在2019财年中期完成调整,期待2019下半年市场需求开始好转。

美光拥有DRAM、NAND、NOR以及3D Xpoint存储器技术,目前美光全球厂区共达12座,日本广岛厂已经量产1ynm制程,台湾主流制程进入1xnm,2019年下半将导入1y制程量产,且台湾厂房无尘室的建设也正在如火如荼的进行中。

虽然目前DRAM市场供应过剩,但美光认为台湾无尘室的扩建是必须进行的扩产计划。因为DRAM转移到新制程的节点时,就会需要更好的精密设备、更复杂的工艺技术,这需要投入更多的资金来新建产线和投入研发,以保证新技术的顺利过渡。

NAND Flash方面,美光2019年主流将向96层3D NAND转移,容量以量产512Gb为主,3月份已基于96层3D NAND推出了美光1300系列SSD和microSD卡产品。至于3D Xpoint技术,即可作为高效能运算的扩充DRAM,也可以做快速储存需求的NAND扩充替代,美光预计在2019会计年度进行送样,最快在2020会计年度量产,将会专注数据中心存储应用。

对于未来的潜力市场的应用,比如物联网、人工智能、5G网络、汽车等。美光认为这些将会扩大应用到智能制造、医疗器材、智能交通等不同领域,并透过数据的搜集与运算来增加智能决策的效率,而存储器是数据储存、搬移、分析与处理的核心,可以预见将给存储产业带来巨大的成长贡献。

另外,美光看好车用存储器需求会高于其他市场,其市场增长率也会高于产业平均增长速度,因为每一台车都要用到很多存储器与储存容量,配合汽车装载的传感器来搜集更加丰富的信息。然而,汽车存储也面临着很大的挑战,因为自动驾驶车的AI系统需要连续不断的感知和发出指令,以便根据复杂的情况实时做出正确的决定,故高速、可靠的存储器对于自动驾驶非常重要。