存档四月 2019

Intel挖高通墙脚,高通CFO跳槽

据报道,高通当地时间周二表示,高通CFO George Davis已经从公司离职,他将会出任竞争对手英特尔的CFO。

据报道,高通(4月2日)周二表示,高通CFO George Davis已经从公司离职,他将会出任竞争对手英特尔的CFO。

4月3日英特尔(Intel)公司宣布任命 George Davis 担任该公司的首席财务官长,加入 Intel 之前他曾担任高通首席财务长长达 6 年时间,George Davis 现在 61 岁,Intel 公司 CEO Robert Swan 称赞其为具有世界顶尖水平的财务管理者和团队领导者。

自2018年前CEO科再奇(Krzanich)因内部丑闻离职后,Intel 的 CEO 职位一直由 CFO Robert Swan 兼任,直到 2019 年 1 月 31 日 Robert Swan 正式升职 CEO 后,Intel 开始寻找适合掌管其财务命脉的管理者人选。

经过长达 2、3 个月的招募,Intel 成功挖角,对外宣布高通公司 CFO George Davis 将出任 Intel 公司CFO 职位。 George Davis 担任高通公司 CFO 职位长达 6 年时间,在此期间他还是高通董事会执行委员会的成员。

Intel 公司在声明中称 George Davis入职后将直接向 CEO Robert Swan 报告,负责全球财务、税务、内部审计、投资者关系、IT等多个部门,任职决定从 2019 年 4 月3日起生效。

Geoge Davis 和Robert Swan 曾共事过,George Davis 曾在材料技术公司 Applied Materials 公司担任 CFO 长达 6 年的时间,当时 Robert Swan 则担任该公司的董事,Robert Swan 在声明中表示 George Davis 是世界顶尖水平的财务管理者、领导者和团队建设者。

George Davis 表示,很高兴加入 Intel,随着全球市场对于数据分析、存储和传输的需求快速成长,世界上没有任何一家公司能够比 Intel 更能把握这个机会,对于 Intel 来说这是一个激动人心的时刻,他期待在公司的转型中发挥更大的作用。

Intel 公司正处于转型期,超过 90% 的芯片产品应用在 PC 和服务器上,但新的芯片制造技术一再延迟,外界预测 Intel 将面临数十年来最大的挑战,Intel 公司 2018 年销售额和利润再创新高,但 2018 年第四季业绩未达预期,分析师对 2019 年的业绩预期不乐观。

惨遭挖角的高通也开始寻找下一任 CFO,该公司的 CEO Steve Mollenkopf 在声明中表示,他代表高通公司感谢 George Davis 在过去 6 年对该公司做出的贡献,希望他未来一切顺利。George Davis 离职后,高通公司的财务主管 Dave Wise 将出任临时 CFO。Dave Wise 在 1997 年加入高通公司,在财务、发展战略等多个部门担任过多个级别的职位,他成为该公司的财务管理团队成员已经超过 12 年的时间。

为了电脑存储市场半壁江山,NAND厂商都拼了

根据市场预测,NAND flash将在2025年占据市场的半壁江山。全球主要的内存制造商看好3D NAND flash的未来发展,积极布局下一代产品…

在本周于美国加州举行的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上,全球几家主要的内存制造商纷纷表示看好3D NAND闪存(flash)的未来发展,并透露了一部份的开发蓝图。而其最近的竞争对手——长江存储科技公司(Yangtze Memory Technology Corp.;YMTC)更积极接触媒体,深入介绍其最新3D NAND技术架构与发展前景。

海力士(SK Hynix)也十分乐于提供其96层(96-layer)组件的详细信息。东芝(Toshiba)宣布推出一款低延迟芯片,正面挑战三星(Samsung)的Z-NAND和英特尔(Intel)的Optane。美光(Micron)仅简要介绍其下一代计划,而Western Digital (WD)则推出了全新软件,作为其数据中心策略的一部份。

事实上,这些消息的发布,正值机械硬盘仍主导目前的计算机储存之际。然而,根据一些市场预测,NAND flash正在市场上刮起一阵旋风,预计到2025年将占据市场的半壁江山。

海力士Tbit级芯片明年出样

海力士宣布将在今年年底前针对移动系统出样其512-Gbit 96层芯片,采用11.3 x 13-mm2封装。明年6月之前,该公司还将出样一款以16 x 20-mm2封装的Tbit级版本,即所谓的V5系列。这两款芯片均采用电荷储存架构,支持高达1.2-Gbits/s/pin的数据速率。

V5系列组件的尺寸比其现有72层NAND芯片更小30%,但读取速度提高了25%,写入性能也提升了30%。相较于现有的产品,整体功率效率大幅提高150%。

海力士目前已经开始研发128层的下一代产品了。该公司NAND开发和业务策略资深副总裁Hyun Ahn表示,该公司预计最终将提供堆栈高达500多层并在单一封装中支持高达8 Tbits的芯片。

而近来才刚完成改革的东芝内存公司(Toshiba Memory Corp.)表示,明年初将会开始生产1.33-Tbit芯片。该芯片将会是采用其BiCS架构的Gen 4版本,支持96层和每单元4位(4-bits/cell)架构。

另外,东芝并发布XL-Flash芯片,可支持较其现有3-bits/cell组件的随机读取延迟更低1/10。这款组件采用更短的字线以及更多平面层,但也利用了现有的BiCS工艺与接口。

该公司声称拥有主要的SATA市场,但也预期这种接口将在大约两年内消失,取而代之的是SAS和NVMe界面。今年的闪存高峰会现场上就展示了多款采用PCI Express Gen 4的NVMe接口。

XL-Flash将与三星的Z-NAND和英特尔的Optane展开竞争(来源:Toshiba)

美光、WD的芯片蓝图

美光看好NAND成长态势,但并未透露太多的发展蓝图。美光与英特尔最近才宣布将于2019年结束双方在3D XPoint内存的合作。

相较于其现有的96层组件,美光下一代NAND的写入带宽将增加30%,成本/位将降低40%。该公司指出,这些进展一部份来自于专有的替代闸极和低电阻金属。

该公司先前曾经表示计划将4-bits/cell技术应用于其现有的3D NAND组件,以提供Tbit级芯片。美光非挥发内存整合部门副总裁Russ Meyer表示,该公司预计其设计将可扩展到200层以上,并顺利进展至下一个十年。

Western Digital则推出新的硬盘和固态数组与管理软件,期望在蓬勃发展的数据中心储存市场占据更大份额。WD数据中心部门总经理Phil Bullinger表示,这两种系统的机械设计和新的虚拟化API都将开放。

WD的OpenFlex E3000将采用NVMe在3U系统中封装高达610TB的NAND储存。D3000将在搭载25-Gbit/s以太网络的1U机箱中承载高达168TB的硬盘储存空间。

该公司预计一些大型数据中心将设计各种不同的硬件以满足其需求。他们还预计第三方公司将会在WD新的虚拟化API之上编写自己的管理软件。

Objective Analysis资深储存分析师Jim Handy说:“储存技术变得越来越复杂,因此,供货商不能再只是提供简单的储存组件,而将剩余的系统设计留给OEM。”。

东芝和其他几家公司也分别推出了软件,通常都采用NVMe协议,透过以太网络和其他结构管理储存网络。

长江存储积极抢进NAND市场

本土存储产业新秀——长江存储则希望在明年7月开始生产64层256-Gbit NAND,其上并采用晶圆键合外围装置I/O电路。如果一切顺利,一年之后,就可能在中国武汉总部的新厂第一阶段,以月产10万片的速度量产约100-mm2的芯片。

新厂的第二阶段则将使64层组件达到300,000片的月产能。然而,目前开发中的下一代128层组件的尺寸将会更小。

支持4-bits/cell架构的128层芯片可望在18个月内准备就绪,提供512-Gbit或甚至是Tbit级的芯片,实际取决于长江存储所使用的芯片尺寸。内存产业资深专家和紫光集团(Unigroup)代表高启全表示,如果成功了,这种设计就能够推动该公司在全球NAND市场占据10~20%的占有率,并得以在起伏不定的市场中生存下来。

长江存储首席执行官杨士宁说:“我们并不会亏本追逐规模。”他强调该公司选择不在此时出货第一代64-Gbit组件。

虽然产量和可靠度可以接受,“但从成本的角度来看,它并没有竞争力。”他并补充说64层组件应该达到三星最新组件位密度的10~20%,并可望为长江存储带来10%~20%的利润。

Xtacking架构的技术基础来自前XMC于武汉厂为CMOS成像器开发5年多的晶圆键合技术。长江存储并将其“几微米的间距”缩小到仅约100nm,以用于3D NAND。

为了校准单独的NAND和I/O晶圆——这项工作中最棘手的部份,晶圆厂使用位于晶圆上方和下方的摄影机与诊断工具。透过等离子体活化被挤压在一起的芯片表面,并以低温退火处理。然后,在I/O晶圆的背面进行加工,以便在芯片背面形成焊垫。

杨士宁说,这种方法并不至于影响产能,也将会用于64层芯片上。可靠性数据“看起来还不错”,而且内存单元尺寸和耐久性也都与竞争产品差不多。

尽管如此,杨士宁说:“走上这条道路需要一些勇气,因为要让这项技术发挥作用并不容易……高启全和我来来回回多次后才做了这个决定。”

Xtacking 3D NAND芯片仿真图(来源:YMTC)

长江存储凭借其1,500多名工程师和500项中国和国际专利,自行开发出Xtacking技术。同时,它还获得了Arm、IBM、Spansion和研究机构的授权技术。因此,尽管受到目前的出口管制,杨士宁仍表示,相信长江存储仍然能够取得所需的设备和材料——这是该公司从美国采购的最大部份。

编译:Susan Hong

雷克沙推出SL100 Pro便携式SSD:最大容量1TB

雷克沙(Lexar)发布了兼容Mac的专业级SL100 Pro便携式固态硬盘,特点是采用了USB 3.1 Gen 2的Type-C接口(非雷电 3)。

雷克沙表示,SL100 Pro拥有时尚、小巧的外形,能够以极具竞争力的价格提供出色的SSD级性能,持续读写速度可达 950和900 MB/s 。与传统机械硬盘相比,它可为专业级摄影师们带来一个快速、安全的解决方案。

雷克沙为SL100 Pro提供了两根线缆,其中一条为双头USB-C,另一条则是USB Type-A 。除了macOS 10.6+,它还支持Windows 10/7/8平台。

盘体大小为5.5×7.34×1.08 CM(2.165×2.89×0.425 英寸),不含数据线的重量为70.5克(0.155 磅)。由于长度不到3英寸、且厚度仅略大于0.4英寸。

SL100 Pro采用了整体黑色的外观,加上白色线条和Lexar Logo的点缀,这款便携式固态硬盘可在0~70℃下工作(储存温度-40~+85℃)。亚马逊已开放预订。

雷克沙计划在今年4月下旬开始出货,容量有250GB/500GB/1TB三种,售价分比为99.99/149.99/279.99美元(约合671/1007/1879 RMB)。

每周新闻报:产业热点速读

1、移动和半导体挑战大,三星大批量人事异动,助攻三大潜力市场

2018年,三星聘请了AI领域的Sebastian Seung和Daniel Lee参加人工智能技术竞赛。三星还在研究院聘请哈佛大学电子工程和计算机科学教授Wei Gu-yeon为三星研发人员,为增强目前人工智能的研发能力。

另外,还任命英国时装零售商AllSaints的前首席执行官William Kim担任公司IT和移动通信部门的执行副总裁,以支持海外市场营销和销售。

三星美国分公司聘请了James Fishler担任分公司电视和音频销售和营销高级副总裁,他负责过苹果公司音频产品的渠道营销。

三星英国的欧洲业务总部聘请了奥迪市场部前负责人Benjamin Braun担任首席营销官。

2、中芯国际宣布1.13亿美元出售旗下晶圆代工厂LFoundry

中芯国际宣布,将出售意大利代工厂LFoundry股权,买方为江苏中科君芯科技有限公司,出售价格为1.13亿美元。

3、东芝向TMC支付4500万美元赔偿,损失将计入东芝2018财报

根据股份购买协议的赔偿条款,东芝将向东芝存储公司(简称TMC)支付4500万美元(约合50亿日元)赔偿,这一损失将计入东芝2018财报。

4、英特尔任命George S. Davis为执行副总裁兼首席财务官

英特尔宣布任命George S. Davis为执行副总裁兼首席财务官(CFO),于4月3日生效。Davis将向英特尔首席执行官Bob Swan报告并监督英特尔全球财务组织,包括财务,会计和报告,税务,财务,内部审计和投资者关系。他还将监督英特尔的信息技术(IT)部门。

5、SK海力士无锡二期厂从4月全面投产,生产先进10nm级DRAM

SK海力士扩建的中国无锡2号工厂将于本月全面投产,主要是用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片Wafer。

在DRAM技术上,SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货,还成功开发出1ynm 16Gb DDR5,支持5200Mbps的数据传输速率,比上一代的3200Mbps快约60%,将于2020年大规模量产。

6、美光:下半年市场供需将好转,未来10-20年仍是存储产业好光景

2019年首季虽然DRAM与NAND Flash价格双双走跌,但相较于2018年大跌的行情已明显收敛,为了进一步改变市场供过于求的市况,美光下修资本支出以及减少Wafer晶圆产量,并预估2019下半年产业供需将好转,同时看好人工智能、机器学习、5G以及自驾车等新契机,推动未来10-20年存储产业的持续成长。

7、华为入围三星五大重要客户,中国成为三星最大销售市场

三星电子在2018全年销售收入中,有超过30%的收入来自中国,取代美国成为三星电子最大的市场。与此同时,华为已取代2017年五大客户之一的斯普林特(Sprint),成为三星重要客户。

8、紫光南方总部落户广州 未来将投1000亿元

在2019中国广州国际投资年会上,紫光集团联席总裁于英涛表示,未来5G对广州数字经济的发展影响将不可估量。借本次投资年会之机,我们将在广州打造紫光集团南方总部,建立5G研究院与创新基础设施生产基地,结合广州的区域优势和生态环境优势,助力广州数字经济发展。

紫光与广州高新区、黄浦区正式签署了紫光广州存储系列项目合作框架协议。紫光集团将投资1000亿,在广州建立紫光集团南方总部,可能将在广州再建2座晶圆厂。

9、兆易创新购买资产并募集资金获证监会有条件通过

兆易创新公告,公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金事项获证监会有条件通过。

10、东芝存储器或将更名成KIOXIA,并筹1.3兆日元,加快上市进度

东芝存储器公司(TMC)从三菱UFJ银行、日本三井住友银行和日本瑞穗银行等主要银行获得1兆日元的借款,日本政策投资银行(DBJ)还将投资3000亿日元,共筹集1.3兆日元(约117亿美元)。

三家主要银行是在总计6000亿日元贷款的基础上再融资,同时回购美国苹果等商业伙伴持有的优先股,减少财务不稳定,并以有利的方式促进东京证券交易所的上市审查。业内人士预计,东芝存储器IPO时间计划在9月,但预计会推迟到11月以后。

此外,市场传言东芝存储器正在讨论将公司改名,考虑不再使用东芝这个品牌。据登记信息显示,东芝存储的名称可能改为KIOXIA。Kioxia(キオクシア)是东芝存储器公司于2018年12月10日提交的商标注册。注册信息显示,Kioxia将成为半导体芯片产品相关的品牌。

清华控股拟作价70亿转让21%同方股份给中核资本

4月3日晚间,同方股份公告称,于2019年4月3日收到公司控股股东清华控股有限公司(下简称清华控股)通知,清华控股于4月3日与中国核工业集团资本控股有限公司(中核资本)签署了关于同方股份的股份转让协议(下称股份转让协议),清华控股拟向中核资本转让其持有的622,418,780股公司股票(占同方股份总股本的21%)。

《股份转让协议》明确,每股转让价格为人民币11.2465元,本次股份转让价款共计人民币约70亿元。

公告称,若本次转让实施完成,则清华控股直接持有同方股份140,892,217股(占总股本的4.75%),其通过其下属控股子公司紫光集团有限公司持有69,637,883股(占总股本的2.35%),合计持有同方股份7.10%的股份,中核资本持有同方股份622,418,780股股票(占总股本的21%),中核资本成为同方股份的控股股东,同方股份实际控制人由教育部变更为国务院国资委。

清华控股为清华大学旗下100%控股公司,注册资本25亿元人民币。中核资本为中国核工业集团有限公司(下简称中核集团)100%控股公司,国务院国资委持有中核集团100%股权,为中核资本实际控制人。

在此次权益变动前,清华控股直接持有同方股份股份总数为763,310,997股,全部为无限售条件流通股,占同方股份总股本的25.75%;通过其下属控股子公司紫光集团有限公司持有同方股份69,637,883股,全部为无限售条件流通股,占同方股份总股本的2.35%。中核资本未持有同方股份股票。

公告提醒,此次协议转让股份事项尚需履行国有资产监督管理机构审批等多项审批程序后方可生效。上述前置审批事项是否获得批准存在不确定性,本次股份转让是否能够最终完成尚存在一定的不确定性。本次协议转让股份所涉及的权益变动报告书将另行披露,本次权益变动不触及要约收购。

前述公告未提及清华控股放弃同方控股权的原因。

不过,2018年8月31日,清华控股发布《清华控股有限公司关于产业改革事宜的提示性公告》中曾提及,清华控股股东清华大学正着手制定相关产业体制改革方案。方案提到:“将通过股权重组实现部分大型成熟企业的进一步市场化。”当时,清华产业正筹划清华控股的控股子公司紫光集团有限公司、启迪控股股份有限公司两家企业的股权重组事宜,拟为其引入战略股东,尚未提及同方股份。

值得一提的是,相比去年底公布的方案,清华控股最新签署的协议中,暂时放弃了清仓同方的计划。

据同方股份2018年12月29日公告,清华控股拟向中核资本转让其持有的全部同方股份股票,共计763,310,997股(占总股本的25.75%)。若当时转让实施完成,则清华控股不再直接持有同方股份股份。

同方股份旗下有知名的中国知网。根据同方股份2017年年报,同方知网主要从事互联网出版与服务业务,目前已经形成了“中国知网”(CNKI)门户网站,为用户提供《中国知识资源总库》《中国学术期刊数据库》《中国博硕士论文数据库》等一系列产品。中国知网文献总量达2.8亿篇,中外学术期刊品种达58000余种,个人用户达2亿以上。

同方股份2018年半年度报告显示,同方知网报告期内主营业务收入5.02亿元,毛利率达到58.83%,归属于母公司股东的净利润达到6057万元。

不过,尽管知网能够持续保持不错的净利润,但其母公司同方股份的经营情况却并不理想。

同方股份发布于1月31日的2018年业绩预告显示,经财务部门初步测算,预计2018年度实现归属于上市公司股东的净利润与上年同期相比,将出现亏损,实现归属于上市公司股东的净利润为-11.5亿元到-17.2亿元,归属于上市公司股东扣除非经常性损益后的净利润为-14.5亿元到-20.2亿元。

e-MMC

  • 东芝eMMC

e-MMC是指一系列具有ECC、耗损均衡和坏块管理等控制功能的NAND闪存(NAND)。e-MMC也提供符合JEDEC/MMCA版本 4.5/5.0/5.1的高速存储卡接口,从而消除了用户对于直接控制NAND的需求。所以,e-MMC可轻松用作嵌入式多媒体卡(MMC)存储器。

容量器件型号Classe-MMC
版本
最大数据速率
(MB/s)
电源电压工作
温度(°C)
封装
Vcc(V)VccQ(V)尺寸(mm)代码
4 GbytesTHGBMNG5D1LBAITConsumer5.04002.7 to 3.61.70 to 1.95,
2.7 to 3.6
-25 to 8511×10×0.8P-WFBGA153-1110-0.50
THGBMNG5D1LBAILConsumer5.04002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25 to 8511.5×13×0.8P-WFBGA153-1113-0.50
8 GbytesTHGBMHG6C1LBAILConsumer5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25 to 8511.5×13×0.8P-WFBGA153-1113-0.50
THGBMHG6C1LBAU6Industrial5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-40 to 105 (1)11.5×13×0.8P-WFBGA153-1113-0.50
16 GbytesTHGBMHG7C1LBAILConsumer5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25 to 8511.5×13×0.8P-WFBGA153-1113-0.50
THGBMHG7C2LBAU7Industrial5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-40 to 105 (1)11.5×13×1.0P-VFBGA153-1113-0.50
32 GbytesTHGBMHG8C2LBAILConsumer5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25 to 8511.5×13×0.8P-WFBGA153-1113-0.50
THGBMHG8C4LBAU7Industrial5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-40 to 105 (1)11.5×13×1.0P-VFBGA153-1113-0.50
64 GbytesTHGBMHG9C4LBAIRConsumer5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25 to 8511.5×13×1.0P-VFBGA153-1113-0.50
THGBMHG9C8LBAU8Industrial5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-40 to 105 (1)11.5×13×1.2P-TFBGA153-1113-0.50
128 GbytesTHGBMHT0C8LBAIGConsumer5.14002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25 to 8511.5×13×1.2P-TFBGA153-1113-0.50
  • 注解 (1):Tc=115°C(最大值)。
  • Contact the Toshiba sales representative for sample schedule about products under development.
  • Details about your intended usage would be checked before submitting samples of the Industrial class product.

  • 金士顿eMMC
Kingston eMMC

金士顿eMMC™ 是嵌入式、非易失存储器系统,由闪存和闪存控制器构成,这不仅简化了应用程序接口设计,还免去了主机处理器的低级闪存管理任务。eMMC 是智能手机、平板电脑和移动互联网设备等众多消费类电子设备的主流存储组件。它越来越多地被应用于众多工业和嵌入式应用领域。

对于开发者而言,eMMC 简化了接口设计和验证流程,从而减少了产品上市时间并促进了对未来闪存设备产品的支持。

小的 BGA 封装尺寸和低功耗让 eMMC 成为移动产品和嵌入式产品的可行低成本存储器。为了更好地满足多空间受限和物联网应用的要求,金士顿发布了采用标准 JEDEC 的世界最小尺寸的 eMMC 封装。 。eMMC 技术规范由微电子工业开放标准制定全球领导者 JEDEC 管理。

金士顿 I-Temp eMMC

金士顿的工业温度 eMMC 产品符合最新 JEDEC eMMC 标准,并兼容以往 eMMC 标准。它拥有标准 eMMC 的所有优势,并且设备的工作温度范围符合工业工作温度要求 (-40°C~85°C),使其非常适合用作恶劣户外环境和汽车应用的存储解决方案。

eMMC 产品型号和规格
产品料号容量eMMC 标准封装尺寸NAND
EMMC04G-M6274GB5.0/5.1 (HS400)11.5x13x1.0MLC
EMMC04G-M6574GB5.0/5.1 (HS400)9.0×7.5×0.8MLC
EMMC08G-M3258GB5.0/5.1 (HS400)11.5x13x1.0MLC
EMMC16G-TB2916GB5.1 (HS400)11.5x13x0.83D TLC BiCS3
EMMC32G-TB2932GB5.1 (HS400)11.5x13x0.83D TLC BiCS3
EMMC32G-TA2932GB5.1 (HS400)11.5x13x0.83D TLC BiCS3
EMMC64G-TA2964GB5.1 (HS400)11.5x13x0.83D TLC BiCS3
EMMC128-TA29128GB5.1 (HS400)11.5x13x1.03D TLC BiCS3

eMMC 产品宣传册 PDFiTemp eMMC 产品宣传册 PDF请求信息

金士顿eMMC 适配器

对于尚无 eMMC 插槽布局的设计,这些 eMMC 转 SD/MMC 适配器可以让用户通过 SD/MMC 插槽来测试 eMMC,而无需更改 PCB 布局。

eMMC 适配器产品型号
产品料号说明
EMMC04G-M627-ADP4GB eMMC 适配器
EMMC08G-M325-ADP8GB eMMC 适配器
EMMC16G-M525-ADP16GB eMMC 适配器
EMMC32G-M525-ADP32GB eMMC 适配器
EMMC64G-M525-ADP64GB eMMC 适配器

三星eMMC

Product Selector

VersionDensityVoltageInterfacePackage SizeTemp.
eMMC 5.1eMMC 5.0256GB128GB64GB32GB16GB8GB4GB1.8 / 3.3 V1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.2 mm11.5 x 13 x 1.0 mm11.5 x 13 x 0.8 mm11 x 10 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C-40 ~ 105 °C-25 ~ 85 °C
Part NumberVersionDensityVoltageInterfacePackage SizeTemp.
KLM4G1FETE-B041eMMC 5.14GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011 x 10 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLM8G1GESD-B03PeMMC 5.08GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLM8G1GESD-B03QeMMC 5.08GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLM8G1GESD-B04PeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLM8G1GESD-B04QeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLM8G1GETF-B041eMMC 5.18GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLM8G1GEUF-B04PeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLM8G1GEUF-B04QeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLMAG1JETD-B041eMMC 5.116GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLMAG2GESD-B03PeMMC 5.016GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
  • 美光eMMC

e.MMC Part Catalog

  • 2GB
Part No. (1)

MTFC2GMDEA-0M WT2GBProductionWFBGA3.3V4.41-25C to +85C

  • 4GB
Part No. (10)

MTFC4GACAAAM-1M WT4GBProductionVFBGA2.7V-3.6V4.5-25C to +85C

MTFC4GACAAAM-4M IT4GBEnd of LifeVFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GACAANA-4M IT4GBProductionTBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GLGDM-AIT Z4GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC4GLGDQ-AIT Z4GBProductionLBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC4GMTEA-WT4GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC4GMWDM-3M AIT4GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GMWDM-3M AIT A4GBProductionTFBGA2.7V-3.6V-40°C to +85°C

MTFC4GMWDQ-3M AIT4GBProductionLBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GMXEA-WT4GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

  • 8GB
Part No. (18)

MTFC8GACAAAM-1M WT8GBEnd of LifeVFBGA2.7V-3.6V4.5-25C to +85C

MTFC8GACAAAM-4M IT8GBEnd of LifeVFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC8GACAANA-4M IT8GBProductionTBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC8GAKAJCN-1M WT8GBProductionVFBGA3.3V5.0-25C to +85C

MTFC8GAKAJCN-4M IT8GBProductionVFBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC8GLDDQ-4M IT8GBEnd of LifeLBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC8GLDEA-4M IT8GBEnd of LifeWFBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC8GLGDM-AIT Z8GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC8GLGDQ-AIT Z8GBProductionLBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC8GLSEA-IT8GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC8GLTEA-WT8GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC8GLWDM-3M AIT Z8GBContact FactoryTFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC8GLWDM-AIT A8GBProductionTFBGA2.7V-3.6V-40C to +85C

MTFC8GLWDM-AIT Z8GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z8GBProductionLFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC8GLXEA-WT8GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

N2M400GDB321A3CE8GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

N2M400GDB321A3CF8GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

  • 16GB
Part No. (20)

MTFC16GAKAECN-2M WT16GBEnd of LifeVFBGA3.3V5.0-25C to +85C

MTFC16GAKAECN-4M IT16GBEnd of LifeVFBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC16GAKAEDQ-AIT16GBProductionLFBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC16GAKAENA-4M IT16GBProductionTBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC16GJDDQ-4M IT16GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC16GJDEC-2M WT16GBObsoleteWFBGA3.3V4.41-25C to +85C

MTFC16GJDEC-4M IT16GBEnd of LifeWFBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC16GJGDQ-AIT Z16GBProductionLBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC16GJGEF-AIT Z16GBContact FactoryTFBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC16GJSEC-IT16GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V4.41-40C to +85C

MTFC16GJVEC-2M WT16GBObsoleteWFBGA3.3V4.41-25C to +85C

MTFC16GJVEC-4M IT16GBObsoleteWFBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC16GLTAM-WT16GBObsoleteVFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC16GLTDV-WT16GBObsoleteVFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC16GLWDM-4M AIT Z16GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC16GLWDQ-4M AIT Z16GBProductionLFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC16GLXAM-WT16GBObsoleteVFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

MTFC16GLXDV-WT16GBObsoleteVFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

N2M400HDB321A3CE16GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

N2M400HDB321A3CF16GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

  • 32GB
Part No. (21)

MTFC2GMDEA-0M WT2GBProductionWFBGA3.3V4.41-25C to +85C

MTFC32GAKAECN-3M WT32GBEnd of LifeVFBGA3.3V5.0-25C to +85C

MTFC32GAKAECN-4M IT32GBEnd of LifeVFBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC32GAKAEDQ-AIT32GBProductionLFBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC32GAKAENA-4M IT32GBProductionTBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC32GAMAKAM-WT32GBProductionVFBGA3.3V-25C to +85C

MTFC32GJDDQ-4M IT32GBEnd of LifeLBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC32GJDED-3M WT32GBObsoleteWFBGA3.3V4.41-25C to +85C

MTFC32GJGDQ-AIT Z32GBProductionLBGA2.7V-3.6V-40C to +85C

MTFC32GJGEF-AIT Z32GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC32GJTED-WT32GBObsoleteVFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC32GJVED-3M WT32GBObsoleteVFBGA3.3V4.41-25C to +85C

MTFC32GJVED-4M IT32GBObsoleteVFBGA3.3V4.41-40C to +85C

MTFC32GJWDQ-4M AIT Z32GBProductionLFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC32GJWEF-4M AIT Z32GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC32GJXED-WT32GBObsoleteVFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

MTFC32GLTDI-WT32GBObsoleteTFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC32GLTDM-WT32GBObsoleteTFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC32GLXDM-WT32GBObsoleteTFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

N2M400JDB341A3CE32GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

N2M400JDB341A3CF32GBObsoleteLBGA3.3V4.41-40C to +85C

  • 64GB
Part No. (16)

MTFC4GACAAAM-1M WT4GBProductionVFBGA2.7V-3.6V4.5-25C to +85C

MTFC4GACAAAM-4M IT4GBEnd of LifeVFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GACAANA-4M IT4GBProductionTBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GLGDM-AIT Z4GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC4GLGDQ-AIT Z4GBProductionLBGA2.7V-3.6V4.4-40C to +85C

MTFC4GMTEA-WT4GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V4.41-25C to +85C

MTFC4GMWDM-3M AIT4GBProductionTFBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GMWDM-3M AIT A4GBProductionTFBGA2.7V-3.6V-40°C to +85°C

MTFC4GMWDQ-3M AIT4GBProductionLBGA2.7V-3.6V4.5-40C to +85C

MTFC4GMXEA-WT4GBObsoleteWFBGA2.7V-3.6V-25C to +85C

MTFC64GAJAEDQ-AIT64GBProductionLFBGA3.3V-40C to +85C

MTFC64GAKAEYF-4M IT64GBProductionLFBGA3.3V5.0-40C to +85C

MTFC64GJVDN-3M WT64GBObsoleteLFBGA3.3V4.41-25C to +85C

MTFC64GJVDN-4M IT64GBObsoleteLFBGA3.3V4.41-40C to +85C

N2M400KDA345K3BE64GBObsoleteLBGA3.3V-40C to +85C

N2M400KDA345K3BF64GBObsoleteLBGA3.3V-40C to +85C


  • 海力士eMMC
DensityProductNAND InformationPart numberPackage SizePackage Type
32GBUFS2.13D-V2 128GbH28U62301AMR11.5x13x1.0153ball FBGA
UFS2.13D-V3 128GbH28S6D302BMR11.5x13x1.0153ball FBGA
64GBUFS2.13D-V2 128GbH28U74301AMR11.5x13x1.0153ball FBGA
UFS2.13D-V3 128GbH28S7Q302BMR11.5x13x1.0153ball FBGA
128GBUFS2.13D-V2 128GbH28U88301AMR11.5x13x1.0153ball FBGA
UFS2.13D-V4 256GbH28S8Q302CMR11.5x13x1.0153ball FBGA
256GBUFS2.13D-V4 256GbH28S9O302BMR11.5x13x1.0153ball FBGA

UFS

东芝UFS

东芝存储器株式会社具有集成控制器的NAND闪存(NAND)能提供纠错、耗损均衡、坏块管理等功能。它们具有符合JEDEC/UFS版本2.1的接口,从而消除了用户对NAND特定控制的要求。

这简化了闪存存储在嵌入式应用中的集成。

容量器件型号UFS
版本
最大数据速率
(MB/s)
电源电压工作温度
(℃)
封装
VCC
(V)
VCCQ
(V)
VCCQ2
(V)
尺寸(mm)代码
32GBTHGAF8G8T23BAIL *2.111662.7至3.6(1)1.70至1.95-25至8511.5 x 13 x 0.8P-WFBGA153-1113-0.50
64GBTHGAF8G9T43BAIR *2.111662.7至3.6(1)1.70至1.95-25至8511.5 x 13 x 1.0P-VFBGA153-1113-0.50
128GBTHGAF8T0T43BAIR *2.111662.7至3.6(1)1.70至1.95-25至8511.5 x 13 x 1.0P-VFBGA153-1113-0.50
256GBTHGAF8T1T83BAIR *2.111662.7至3.6(1)1.70至1.95-25至8511.5 x 13 x 1.0P-VFBGA153-1113-0.50
  • 注解(1):该产品支持Vcc和VccQ2双电源操作。无需提供。
  • *新产品:请联系东芝存储器株式会社销售代表以获取新产品样品供应计划。

  • 三星eUFS

Product Selector

VersionDensityVoltageInterfacePackage SizeTemp.Product Status
UFS 2.11TB512GB256GB128GB64GB32GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.72 mm11.5 x 13 x 1.4 mm11.5 x 13 x 1.2 mm11.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 85 °C-40 ~ 105 °C-25 ~ 85 °CMass Production
Part NumberVersionDensityVoltageInterfacePackage SizeTemp.Product Status
KLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 85 °CMass Production
KLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 105 °CMass Production
KLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °CMass Production
KLUCG4J1ED-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °CMass Production
KLUCG4J1ZD-B0CPUFS 2.164GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 85 °CMass Production
KLUDG4U1EA-B0C1UFS 2.1128GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °CMass Production
KLUDG8J1ZD-B0CPUFS 2.1128GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 85 °CMass Production
KLUDG8J1ZD-B0CQUFS 2.1128GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 105 °CMass Production
KLUEG8U1EA-B0C1UFS 2.1256GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °CMass Production
KLUEGAJ1ZD-B0CPUFS 2.1256GB1.8 / 3.3 VG3 2Lane11.5 x 13 x 1.72 mm-40 ~ 85 °CMass Production

海力士UFS

Key features of UFS 2.0

DensityProductNAND InformationPart numberPackage SizePackage Type
32GBUFS2.13D-V2 128GbH28U62301AMR11.5x13x1.0153ball FBGA
UFS2.13D-V3 128GbH28S6D302BMR11.5x13x1.0153ball FBGA
64GBUFS2.13D-V2 128GbH28U74301AMR11.5x13x1.0153ball FBGA
UFS2.13D-V3 128GbH28S7Q302BMR11.5x13x1.0153ball FBGA
128GBUFS2.13D-V2 128GbH28U88301AMR11.5x13x1.0153ball FBGA
UFS2.13D-V4 256GbH28S8Q302CMR11.5x13x1.0153ball FBGA
256GBUFS2.13D-V4 256GbH28S9O302BMR11.5x13x1.0153ball FBGA
  • UFS2.0 compatible
  • Operation Voltage Rage
    • – VCC (NAND): 2.7V ~ 3.6V
    • – VCCQ (CTRL): not used
    • – VCCQ2 (CTRL): 1.7V ~ 1.95V
  • Temperature
    • – Operation Temperature (-25℃ ~ 85℃ )
    • – Storage Temperature (-40℃ ~ 85℃ )
  • Supported features
    • – Erase / Discard / Purge / Wipe
    • – PWM G1-G5 / HS-G1-G3
    • – H@-G3 1L/2L
    • – Command Queuing / Cache
  • RPMB / Boot LU
  • Power-on / HW / Endpoint / LU Retest
  • BKOP
  • High Priority LU
  • Reliability Write Operation
  • Write Protect
  • Task Management Operation
  • Context ID, Data Tag
  • Secure Removal Type
  • Power Management Operations
  • UFS2.1 Device Health Descriptor
  • UFS2.1 Field Firmware Update

eMCP

  • 三星eMCP

Product Selector

VersionDensityVoltageInterfacePackage SizeTemp.
eMMC 5.1eMMC 5.0256GB128GB64GB32GB16GB8GB4GB1.8 / 3.3 V1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.2 mm11.5 x 13 x 1.0 mm11.5 x 13 x 0.8 mm11 x 10 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C-40 ~ 105 °C-25 ~ 85 °C
Part NumberVersionDensityVoltageInterfacePackage SizeTemp.
KLM4G1FETE-B041eMMC 5.14GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011 x 10 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLM8G1GESD-B03PeMMC 5.08GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLM8G1GESD-B03QeMMC 5.08GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLM8G1GESD-B04PeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLM8G1GESD-B04QeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLM8G1GETF-B041eMMC 5.18GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLM8G1GEUF-B04PeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLM8G1GEUF-B04QeMMC 5.18GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLMAG1JETD-B041eMMC 5.116GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLMAG2GESD-B03PeMMC 5.016GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLMAG2GESD-B03QeMMC 5.016GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLMAG2GESD-B04PeMMC 5.116GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLMAG2GESD-B04QeMMC 5.116GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLMAG2GEUF-B04PeMMC 5.116GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLMAG2GEUF-B04QeMMC 5.116GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLMBG2JETD-B041eMMC 5.132GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLMBG4GESD-B03PeMMC 5.032GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 85 °C
KLMBG4GESD-B03QeMMC 5.032GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 105 °C
KLMBG4GESD-B04PeMMC 5.132GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 85 °C
KLMBG4GESD-B04QeMMC 5.132GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 85 °C
KLMBG4GEUF-B04PeMMC 5.132GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 85 °C
KLMBG4GEUF-B04QeMMC 5.132GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-40 ~ 105 °C
KLMCG2KCTA-B041eMMC 5.164GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLMCG2UCTA-B041eMMC 5.164GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 0.8 mm-25 ~ 85 °C
KLMCG4JETD-B041eMMC 5.164GB1.8, 3.3 V / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °C
KLMCG4JEUD-B04PeMMC 5.164GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 85 °C
KLMCG4JEUD-B04QeMMC 5.164GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 105 °C
KLMCG8GESD-B03PeMMC 5.064GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 85 °C
KLMCG8GESD-B03QeMMC 5.064GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 105 °C
KLMCG8GESD-B04PeMMC 5.164GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 85 °C
KLMCG8GESD-B04QeMMC 5.164GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-40 ~ 105 °C
KLMDG4UCTA-B041eMMC 5.1128GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °C
KLMDG8JEUD-B04PeMMC 5.1128GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 85 °C
KLMDG8JEUD-B04QeMMC 5.1128GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.2 mm-40 ~ 105 °C
KLMEG8UCTA-B041eMMC 5.1256GB1.8 / 3.3 VHS40011.5 x 13 x 1.0 mm-25 ~ 85 °C


eMCP 产品型号和规格

金士顿提供各种 JEDEC 标准 eMCP 组件。eMCP 在一个小型封装中集成了 eMMC 与低功耗 DRAM。此解决方案简化了系统 PCB 设计,并加快了产品上市速度。eMCP 是整合的存储和内存组件,非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各种物流网设备等空间受限的系统。

LPDDR2 eMCP P/NsLPDDR2 eMCP CapacitySpeed Modee•MMC versionPackage Size
04EMCP04-NL2DM6274GB eMMC + 4Gb LPDDR2HS2005.011.5 x 13 x 1.0 (162 Ball)
08EMCP04-NL2DT2278GB eMMC + 4Gb LPDDR2HS2005.011.5 x 13 x 1.0 (162 Ball)
08EMCP08-NL2DT2278GB eMMC + 8Gb LPDDR2HS2005.011.5 x 13 x 1.0 (162 Ball)

LPDDR3 eMCP P/NsLPDDR3 eMCP CapacitySpeed Modee•MMC versionPackage Size
04EMCP04-NL3DM6274GB eMMC + 4Gb LPDDR3HS4005.011.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
08EMCP04-NL3DT2278GB eMMC + 4Gb LPDDR3HS4005.011.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
08EMCP08-NL3DT2278GB eMMC + 8Gb LPDDR3HS4005.011.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
16EMCP08-NL3DTB2816GB eMMC + 8Gb LPDDR3HS4005.111.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
16EMCP16-EL3GTB2916GB eMMC + 16Gb LPDDR3HS4005.111.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
32EMCP16-EL3GTB2932GB eMMC + 16Gb LPDDR3HS4005.111.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
32EMCP24-EL3JTB2932GB eMMC + 24Gb LPDDR3HS4005.111.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
64EMCP24-EL3JTA2964GB eMMC + 24Gb LPDDR3HS4005.111.5 x 13 x 1.0 (221 Ball)
64EMCP32-EL3HTA2964GB eMMC + 32Gb LPDDR3HS4005.111.5 x 13 x 1.1 (221 Ball)

  • 美光eMCP

e.MMC-Based MCP

DRAM Density

Select DRAM Density

  • 4Gb

Range: 4Gb – 48Gb

  • DRAM TypeLPDDR2, LPDDR3
  • Widthx8, x32
  • Voltage3.3V
  • PackageVFBGA
  • Op. Temp.-25C to +85C

View 4Gb eMMC-Based MCP Part CatalogView Full eMMC-Based MCP Part Catalog

  • 4G
Part No. (4)

MT29PZZZ4C4WKETF-18 W 4Gb LPDDR2 Obsoletex 16×8 1.8V

MT29PZZZ4D4BKESK-18 W 4Gb LPDDR2 Productionx 32×8 3.3V

MT29PZZZ4D4WKETF-18 W 4Gb LPDDR2 Obsoletex 32×8 1.8V

MT29TZZZ4D4BKERL-125 W 4Gb LPDDR3 Contact Factoryx 8×32 3.3V

  • 8Gb
Part No. (8)

MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W8GbLPDDR2Obsoletex32x83.3V

MT29PZZZ8D5BKFTF-18 W 8Gb LPDDR2 Obsoletex32x323.3V

MT29TZZZ8D4BKFRL-125 W 8Gb LPDDR3 Obsoletex 32×8 3.3V

MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W8Gb LPDDR3 Obsoletex 32×8 3.3V

MT29TZZZ8D5JKETS-107 W8Gb LPDDR3 Productionx 8×32 3.3V

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W 8Gb LPDDR3 Productionx 8×32 3.3V

MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W 8Gb LPDDR3 Productionx 32×32 3.3V

MT29TZZZ8D6YKEAH-125 W 8Gb LPDDR3 Obsoletex 8×32 3.3V

  • 16Gb
Part No. (2)

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W 16Gb LPDDR3 Productionx 8×32 3.3V

MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W16Gb LPDDR3 Obsoletex 8×32 1.8V

  • 24Gb
Part No. (4)

MT29PZZZ4C4WKETF-18 W4Gb LPDDR2 Obsoletex 16×8 1.8V

MT29PZZZ4D4BKESK-18 W4Gb LPDDR2 Productionx 32×8 3.3V

MT29PZZZ4D4WKETF-18 W4Gb LPDDR2 Obsoletex 32×8 1.8V

MT29TZZZ4D4BKERL-125 W4Gb LPDDR3 Contact Factoryx 8×32 3.3V

  • 32Gb
Part No. (2)

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W32Gb LPDDR3 Productionx 8×32 3.3V

MT29VZZZAD8DQKSM-053 W32Gb LPDDR4 Productionx 8×16 3.3V

  • 48Gb
Part No. (8)

MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W8Gb LPDDR2 Obsoletex 32×8 3.3V

MT29PZZZ8D5BKFTF-18 W 8GbLPDDR2 Obsoletex 32×32 3.3V

MT29TZZZ8D4BKFRL-125 W8Gb LPDDR3 Obsoletex 32×8 3.3V

MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W8Gb LPDDR3 Obsoletex 32×8 3.3V

MT29TZZZ8D5JKETS-107 W8Gb LPDDR3 Productionx 8×32 3.3V

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W8Gb LPDDR3 Productionx 8×32 3.3V

MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W8Gb LPDDR3 Productionx 32×32 3.3V

MT29TZZZ8D6YKEAH-125 W8Gb LPDDR3 Obsoletex 8×32 3.3V

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SDRAM

  • 三星SDRAM
Front and back view of Samsung DDR4.

DDR4LEARN MORE

Front and back view of Samsung DDR3

DDR3LEARN MORE

Front and back view of HBM Aquabolt

HBM AquaboltLEARN MORE

Front and back view of HBM Flarebolt

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Front and back view of Samsung GDDR6

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Front and back view of Samsung LPDDR4X

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Front and back view of Samsung LPDDR4

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Front and back view of Samsung LPDDR3

LPDDR3LEARN MORE

Angled side view of module
  • SKHYNIX SDRAM

DDR4 SDRAM

Select a ProductDen.Org.VolSpeedPowerPKGProduct Status
COMPONENT4Gb8Gb16Gbx4x8x161.2VPB/RD/TF/UH/VKTF/UHTF/UH/VKUH/VK/WM/XNNormal PowerFBGAMass production

Related Document :

  • Excel Sheet
  • Part No. Decoder
  • Device Operation
  • Label Infomation
Part No.  Den. Org. Vol Speed Power PKG Product Status 
H5AN4G4NBJR 4Gbx41.2VTF/UHNormal PowerFBGAMass production
H5AN4G8NBJR 4Gbx81.2VTF/UHNormal PowerFBGAMass production
H5AN4G6NBJR 4Gbx161.2VTF/UHNormal PowerFBGAMass production
H5AN8G4NAFR 8Gbx41.2VTF/UH/VKNormal PowerFBGAMass production
H5AN8G4NCJR 8Gbx41.2VUH/VK/WM/XNNormal PowerFBGAMass production
H5AN8G8NAFR 8Gbx81.2VTF/UH/VKNormal PowerFBGAMass production
H5AN8G8NCJR 8Gbx81.2VUH/VK/WM/XNNormal PowerFBGAMass production
H5AN8G6NAFR 8Gbx161.2VTF/UH/VKNormal PowerFBGAMass production
H5AN8G6NCJR 8Gbx161.2VUH/VK/WM/XNNormal PowerFBGAMass production
H5ANAG8NCMR 16Gbx81.2VUH/VK/WM/XNNormal PowerFBGAMass production
H5ANAG6NAMR 16Gbx161.2VPB/RD/TF/UH/VKNormal PowerFBGAMass production
H5ANAG6NCMR 16Gbx161.2VUH/VK/WM/XNNormal PowerFBGAMass production
  • SPECTEK SDRAM

SpecTek DRAM Component Detail

DRAM Component Memory Types:

Memory Type: DDR SDRAM

DensityConfigPackagePin CountVoltageClock RateData RatePart Number
(Component Datasheets)
256MBIT32MX8FBGA60-BALL2.5V167 MHZDDR333SGG32M8T26ZV8FGF-6A
SGG32M8T26ZV8FGL-6A
32MX8TSOP-II66P2.5V167 MHZDDR333SGG32M8T26ZR8TLF-6A
SGG32M8T26ZR8TLL-6A
SGG32M8T26ZV8TLF-6A
SGG32M8T26ZV8TLL-6A
32MX8TSOP-II66P2.6V200MHZDDR400SGG32M8T26ZV8TLF-5B
SGG32M8T26ZV8TLL-5B
64MX4TSOP-II66P2.5V167 MHZDDR333SGG64M4T26ZV8TLF-6A
SGG64M4T26ZV8TLL-6A
512MBIT128MX4TSOP-II66P2.5V133 MHZDDR266SGG128M4T27BV8TLF-75A
SGG128M4T27BV8TLL-75A
128MX4TSOP-II66P2.5V167 MHZDDR333SGG128M4T27BV8TLF-6A
SGG128M4T27BV8TLL-6A
SGG128M4T27ZV8TLF-6A
SGG128M4T27ZV8TLL-6A
SGG32M8T36AV8GMF-5B
SGG32M8T36AV8TLF-5B
SMG32M8T36AV8GMF-5B
SMG32M8T36AV8GML-5B
SMG32M8T36AV8TLF-5B
SMG32M8T36AV8TLL-5B
32MX16TSOP-II66P2.5V167 MHZDDR333SGG32M16T27BV8TLF-6A
SGG32M16T27BV8TLL-6A
64MX8FBGA60-BALL2.6V200MHZDDR400SGG64M8T37ZV8FNF-5B
SGG64M8T37ZV8FNL-5B
64MX8TSOP-II66P2.5V167 MHZDDR333SGG64M8T27BV8TLF-6A
SGG64M8T27BV8TLL-6A
SGG64M8T27ZV8TLF-6A
SGG64M8T27ZV8TLL-6A
64MX8TSOP-II66P2.6V200MHZDDR400SGG64M8T37ZV8TLF-5B
SGG64M8T37ZV8TLL-5B
SMG64M8T37ZV8FNL-5B